- 產品型號：DMG4N65CT
- 制 造 商：Diodes（美臺半導體）
- 出廠封裝：TO-220-3
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
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Diodes公司完整型號：DMG4N65CT
制造廠家名稱：Diodes Incorporated
描述：MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
系列：-
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：650V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：13.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：900pF @ 25V
功率 - 最大值：2.19W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220-3
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