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Diodes公司完整型號：DMG6601LVT-7

制造廠家名稱：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

系列：-

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：3.8A，2.5A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：55 毫歐 @ 3.4A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12.3nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：422pF @ 15V

功率 - 最大值：850mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

供應商器件封裝：TSOT-26