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DMN1019USN-13
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Diodes公司完整型號:DMN1019USN-13

制造廠家名稱:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):12V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):9.3A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):10 毫歐 @ 9.7A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):50.6nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2426pF @ 10V

功率 - 最大值:680mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應商器件封裝:SC-59


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