- 產品型號：DMN10H170SFDE-13
- 制 造 商：Diodes（美臺半導體）
- 出廠封裝：6-UDFN
- 功能類別：FET - 單
- 功能描述：MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
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Diodes公司完整型號: DMN10H170SFDE-13
制造廠家名稱: Diodes Incorporated
功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
系列: -
FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓（Vdss）: 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 2.9A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 160 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 9.7nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 1167pF @ 25V
功率 - 最大值: 660mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-UDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝: U-DFN2020-6
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