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DMN2016LHAB-7
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Diodes公司完整型號:DMN2016LHAB-7

制造廠家名稱:Diodes Incorporated

描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

系列:-

FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):7.5A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):15.5 毫歐 @ 4A, 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1550pF @ 10V

功率 - 最大值:1.2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝:*


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