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Diodes公司完整型號(hào)：DMN62D1LFD-13

制造廠家名稱：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：400mA（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 100mA，4V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：0.55nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：36pF @ 25V

功率 - 最大值：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-UDFN

供應(yīng)商器件封裝：3-X1DFN1212