- 產品型號：DMN66D0LDW-7
- 制 造 商：Diodes（美臺半導體）
- 出廠封裝：SOT-363
- 功能類別：場效應管陣列
- 功能描述：MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363
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Diodes公司完整型號：DMN66D0LDW-7
制造廠家名稱：Diodes Incorporated
描述：MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363
系列：-
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：115mA
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 115mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23pF @ 25V
功率 - 最大值：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363
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