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ZXMN2A04DN8TA
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Diodes公司完整型號:ZXMN2A04DN8TA

制造廠家名稱:Diodes Incorporated

描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

系列:-

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.9A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):25 毫歐 @ 5.9A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA(最小)

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):22.1nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1880pF @ 10V

功率 - 最大值:1.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SOP


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