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Diodes公司完整型號(hào)：ZXMN3A06DN8TC

制造廠(chǎng)家名稱(chēng)：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

系列：-

FET 類(lèi)型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：4.9A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最小）

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：17.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：796pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOP