av无码一区二区三-av无码一区二区三区-av无码一区二区三区波多野-av无码一区二区三区人-av无码一区二区三区午夜-av无码一区二区三区鸳鸯影院

IRF6641TR1PBF >>> IR芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供IR公司IRF6641TR1PBF報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購(gòu)IRF6641TR1PBF？不再猶豫，找我們沒(méi)錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

IR公司完整型號(hào)：IRF6641TR1PBF

制造廠家名稱(chēng)：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

系列：HEXFET

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：4.6A（Ta），26A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：59.9 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 150μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：48nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2290pF @ 25V

功率 - 最大值：2.8W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET 等容 MZ

供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MZ