- 產品型號：IPB108N15N3 G
- 制 造 商：Infineon（英飛凌）
- 出廠封裝：PG-TO263-2
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
深圳市諾森半導電子有限公司提供IPB108N15N3 G報價、現貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格，那就馬上與我們聯系吧！
全國統一服務熱線
0755-23735286
全國統一服務熱線
0755-23735286
IPB108N15N3 G >>> 英飛凌芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供英飛凌公司IPB108N15N3 G報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯系吧！
采購IPB108N15N3 G？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產品試產到大批量生產，我們將提供性價比最高的現貨供應服務！
Infineon英飛凌公司完整型號：IPB108N15N3 G
制造廠家名稱：Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
系列：OptiMOS?
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：150V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：83A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10.8 毫歐 @ 83A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 160μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：55nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3230pF @ 75V
功率 - 最大值：214W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：PG-TO263-2
在線客服
