- 產品型號：IPB123N10N3 G
- 制 造 商：Infineon（英飛凌）
- 出廠封裝：PG-TO263-2
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
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Infineon英飛凌公司完整型號：IPB123N10N3 G
制造廠家名稱：Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
系列：OptiMOS?
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：58A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：12.3 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 46μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：35nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2500pF @ 50V
功率 - 最大值：94W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：PG-TO263-2
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