- 產品型號：IPD65R600E6ATMA1
- 制 造 商：Infineon（英飛凌）
- 出廠封裝：TO-252-3，DPak
- 功能類別：FET - 單
- 功能描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPD65R600E6ATMA1
制造廠家名稱: Infineon Technologies
功能總體簡述: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
系列: CoolMOS E6
FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓（Vdss）: 650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 7.3A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 600 毫歐 @ 2.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 210μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 23nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 440pF @ 100V
功率 - 最大值: 63W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝: PG-TO252-3
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