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APTM120DA30T1G
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Microsemi美高森美完整型號:APTM120DA30T1G

制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group

描述:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):31A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):360 毫歐 @ 25A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):560nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):14560pF @ 25V

功率 - 最大值:657W

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:SP1

供應商器件封裝:SP1


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