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APTM60A11FT1G
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Microsemi美高森美完整型號:APTM60A11FT1G

制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group

描述:MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1

系列:-

FET 類型:2 個 N 通道(半橋)

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):40A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):132 毫歐 @ 33A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):330nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):10552pF @ 25V

功率 - 最大值:390W

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:SP1

供應商器件封裝:SP1


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