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PHD38N02LT,118
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NXP恩智浦完整型號(hào):PHD38N02LT,118

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

系列:TrenchMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng)

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):44.7A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):16 毫歐 @ 25A,5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):15.1nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):800pF @ 20V

功率 - 最大值:57.6W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:DPAK


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