- 產品型號：PHKD13N03LT,118
- 制 造 商：NXP（恩智浦半導體）
- 出廠封裝：8-SO
- 功能類別：場效應管陣列
- 功能描述：MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
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NXP恩智浦完整型號：PHKD13N03LT,118
制造廠家名稱：NXP Semiconductors
描述：MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
系列：TrenchMOS?
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10.4A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.7nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：752pF @ 15V
功率 - 最大值：3.57W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SO
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