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NXP恩智浦完整型號：PMDPB42UN,115

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：3.9A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：50 毫歐 @ 3.9A， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.5nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：185pF @ 10V

功率 - 最大值：510mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：6-HUSON（2x2）