- 產品型號：PSMN165-200K,518
- 制 造 商：NXP（恩智浦半導體）
- 出廠封裝：8-SO
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
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NXP恩智浦完整型號：PSMN165-200K,518
制造廠家名稱：NXP Semiconductors
描述：MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
系列：TrenchMOS?
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：2.9A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：165 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1330pF @ 25V
功率 - 最大值：3.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SO
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