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PHB20N06T
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Nexperia公司器件型號:PHB20N06T,118

制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離

功能總體描述:MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK

所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管

系列:TrenchMOS??

零件狀態(tài):在售

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源極電壓(Vdss):55V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20.3A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):11nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):483pF @ 25V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):62W(Tc)

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):75 毫歐 @ 10A,10V

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

Nexperia公司標準封裝:D2PAK

封裝形式:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

PHB20N06T的標準包裝數(shù)量(SPQ):800 PCS


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