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Nexperia公司器件型號：PMZB370UNE,315

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：-

零件狀態：在售

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：900mA（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.05V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：1.16nC @ 15V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：78pF @ 25V

Vgs（最大值）：±8V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta），2.7W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：490 毫歐 @ 500mA，4.5V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

Nexperia公司標準封裝：3-DFN1006B（0.6x1）

封裝形式：3-XFDFN

PMZB370UNE的標準包裝數量(SPQ)：10000 PCS