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BSM120D12P2C005
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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: BSM120D12P2C005

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

系列: -

FET 類型: 2 個 N 通道(半橋)

FET 功能: 碳化硅 (SiC)

漏源極電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 120A

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): -

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.7V @ 22mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): -

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 14000pF @ 10V

功率 - 最大值: 780W

安裝類型: *

封裝/外殼: 模塊

供應(yīng)商器件封裝: 模塊


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