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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): RQ3E100BNTB

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 10A（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 10.4 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 22nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 1100pF @ 15V

功率 - 最大值: 2W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝: 8-HSMT（3.2x3）