- 產品型號：K4B1G1646I-BYNB
- 制 造 商：三星半導體（Samsung）
- 出廠封裝：96FBGA
- 功能類別：雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- 功能描述：SAMSUNG DRAM NAND
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三星芯片型號：K4B1G1646I-BYNB
制造商：SAMSUNG（三星半導體）
功能類別：雙倍數據率同步動態隨機存儲器
容量：1Gb
架構：64M x 16
速率：2133 Mbps
工作電壓：1.35 V
工作溫度：0 ~ 85 °C
封裝：96FBGA
產品狀態：批量生產
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