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SIHB8N50D-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SIHB8N50D-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):500V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):8.7A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):850 毫歐 @ 4A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):30nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):527pF @ 100V

功率 - 最大值:156W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:TO-263(D2Pak)


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